大族激光第三代半导体设备最新动态

大族激光表示公司应用于第三代半导体的SiC晶锭激光切片机、SiC超薄晶圆激光切片机正在客户处做量产验证。

有数据显示，大族激光今年上半年实现营业收入69．37亿元，营业利润6．82亿元；归属于母公司的净利润6．31亿元，扣除非经常性损益后净利润6．07亿元。其中半导体及泛半导体行业晶圆加工设备业务实现营业收入7．17亿元。

今年5月份，大族激光的全资子公司大族半导体发布了激光切片（QCB技术）新技术，并同时发布了两款全新设备：SiC晶锭激光切片机（HSET－S－LS6200）、SiC超薄晶圆激光切片机（HSET－S－LS6210）。其产品性能非常优越，以切割2cm厚度的晶锭，分别产出最终厚度350um，175um和100um的晶圆为例，QCB技术可在原来传统线切割的基础上提升分别为40％，120％和270％的产能。

据悉，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021－2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。

第三代半导体材料是以碳化硅SiC、氮化镓GaN为主的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、可承受大功率等特点。

以第三代半导体的典型代表碳化硅（SiC）为例，碳化硅具有高临界磁场、高电子饱和速度与极高热导率等特点，使得其器件适用于高频高温的应用场景，相较于硅器件，碳化硅器件可以显著降低开关损耗。 因此，碳化硅可以制造高耐压、大功率的电力电子器件，用于智能电网、新能源汽车等行业。