【聚焦】KBBF晶体可产生深紫外激光 我国技术处于全球领先地位

根据新思界产业研究中心发布的《2022－2027年中国KBBF晶体（氟代硼铍酸钾晶体）行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，20世纪90年代初，我国最先发现具有非线性光学特性的KBBF晶体，其在紫外线波段范围内的性能优于当时已发现的所有晶体材料，并且率先生长制得大尺寸KBBF晶体，实现商业化生产。KBBF晶体是我国继BBO晶体、LBO晶体之后，研制出的第三种非线性光学晶体。

早期，我国向全球市场供应KBBF晶体。由于拥有特殊性能，KBBF晶体在科研、工业、国防、军工等领域均有广阔需求，具有重要战略意义，2009年我国停止KBBF晶体对外出口。直到2016年，美国才研制出KBBF晶体，而当时我国已经研制出KBBF晶体的升级产品LSBO晶体。由此可见，我国KBBF晶体技术处于全球领先地位。

KBBF晶体主要用来制造深紫外激光器。深紫外激光具有波长短的特点，利用深紫外激光器可以进行高精度加工，在工业领域广泛应用在半导体、仪器仪表、激光加工设备等领域。2013年，我国研制的全球首个深紫外固态激光器通过验收，成为当时全球唯一能够制造实用化深紫外全固态激光器的国家。

光刻机是深紫外激光器的高端应用市场，可用来制造DUV光刻机（深紫外光刻机），深紫外激光器是DUV光刻机的核心组成部分。DUV光刻机主要用来制造45－10nm芯片，目前我国市场需求完全依靠从荷兰ASML公司进口，而美国对荷兰施压，试图禁止ASML公司向我国出口DUV光刻机。在此背景下，我国必须实现DUV光刻机自主生产。KBBF晶体是深紫外激光器的核心组成部分，我国技术全球领先，为DUV光刻机行业发展奠定坚实基础。

新思界行业分析人士表示，KBBF晶体也存在弊端，其成分中含有金属铍，有剧毒，且晶体层状生长习性严重，性能优于KBBF晶体且安全性更高的新型晶体材料还在不断开发。我国研制出LSBO晶体，也是一种深紫外非线性光学晶体，其成分中不含金属铍，制备工艺相对简单，有望替代KBBF晶体使用。短期来看，KBBF晶体工艺成熟、产品性质稳定，在较多应用领域仍具有较强的不可替代性，未来市场前景良好。

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