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作为一种分立器件，IGBT可以被认为是一个MOSFET和一个BJT（双极型极管）混合形成的器件，但相比于MOSFET制造难度更高、结构更复杂，可承受的电压也更大。一般MOSFET器件或模组的可承受电压范围为20－800V，而IGBT可承受1000V以上的高电压，因而是电力电子领域较为理想的开关器件。它可以通过脉宽调制，可以把输入的直流电变成人们所需要频率的交流电，或者反过来，主要用于变频逆变和其他逆变电路，因此它又被称作电力电子装置的“CPU”。
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不追求摩尔定律，IGBT技术稳定前行
由于IGBT产品迭代速率不追求摩尔定律，使用周期较长。所以尽管很多老一代产品损耗较大，但其芯片面积大，稳定性较好，因此部分领域仍会选择使用旧代产品。
目前看来，IGBT的发展大致可分为三大主要技术阶段：
第一阶段：第一、第二代IGBT为代表的平面栅型IGBT，其中第一代由于工艺复杂且成本高，已基本被淘汰。第二代部分类型产品目前仍有销售；
第二阶段：以第三代、第四代IGBT 为代表的沟槽栅型IGBT。该类型产品通过创新的沟槽设计，大大减小了IGBT的体积和使用功耗，因此被广泛使用。第五代、第六代的IGBT，属于对沟槽栅型的改进，结构并未有很大的变动；
第三阶段：2018年以后出现的第七代微槽型IGBT，该类型产品更大程度地减小了器件的体积和功耗，目前英飞凌等厂商技术已达量产水平。
IGBT能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，实现精准调控的目的，被广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。数据显示，从中国市场来看新能源汽车相关领域是IGBT最大应用领域，市场占比达31％，其次为消费电子、工业控制及新能源发电等。
新老交替，国内IGBT企业奋起直追
由于IGBT技术的门槛较高，早期更是由海外老牌厂商率先占领市场，比如英飞凌、富士电机等可以说是形成了垄断之势。具体来看，位列第一的英飞凌处在绝对领先地位，模组产品市占率35．6％、分立器件产品市占率32．5％。
随着近些年国内新能源汽车产业的发展，相关IGBT企业也因此受益，不仅涌入了众多新参与者，其技术水平的拔高也使其在国际上站稳了脚跟，作用一席之地。此外，有很多终端厂商也开始沿着供应链向上游拓展，最典型的就是比亚迪，自2005年进入IGBT产业，目前已成为国内IGBT龙头之一。
