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C2M0080120D现货热卖
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  • 起订量:5 件
  • 可售数量: 10000 件
  • 支持批量采购
  • 发布时间:2019-01-21 21:49

产地:北京 | 归属行业:场效应管

有效期至:长期有效

联系人: 郭小姐

手机:18701665783

联系地址:北京北京市海淀区京市海淀区中关村大街32号蓝天科技综合楼B1-F5

商铺网址: http://www.okhy.cn/company/guest.php

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  • 所在地:北京

品牌:CREE型号:C2M0080120D类型:其他封装外形:其他材质:P-FET硅P沟道工作电压:1200V工作电流:60AC2M0080120D:碳化硅功率 MOSFET详细说明Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET C2M0080120D, 31 A, Vds=1200 V, 3针 TO-247封装lfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET,可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率,并降低了冷却要求,以提高整体系统工作效率。

• 增强模式 N 通道 SiC 技术
• 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V
• 多个设备易于并行且易于驱动

• 高速切换,具有低接通电阻

通道类型N
最大连续漏极电流31 A
最大漏源电压1200 V
最大漏源电阻值208 mΩ
最大栅阈值电压3.2V
最小栅阈值电压1.7V
最大栅源电压-10 → +25 V
封装类型TO-247
安装类型通孔
晶体管配置
引脚数目3
通道模式增强
类别功率 MOSFET
最大功率耗散208 W
典型关断延迟时间23.2 ns
典型输入电容值@Vds950 pF @ 1000 V
典型栅极电荷@Vgs49.2 nC @ 20 V
最低工作温度-55 °C
长度16.13mm
尺寸16.13 x 5.21 x 21.1mm
晶体管材料SiC
典型接通延迟时间12 ns
Board Level ComponentsY
高度21.1mm
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
宽度5.21mm





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