英飞凌IGBT中国区正式授权一级代理商

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品牌：英飞凌/INFINEON型号：Infineon用途：D/变频换流导电沟道：N沟道导电方式：增强型封装外形：螺丝型材料：GE-P-FET锗P沟道相数：多相控制方式：脉冲宽度调制（PWM）主电路形式：全桥式

台湾力通集团介绍​

2017年销售额7个亿
代理产品：英飞凌IGBT，西门康IGBT，NCC电容，EPCOS电容
应用市场：变频器，电源，感应加热等
公司在北京深圳，上海有分支结构，更好服务电力电子客户
公司配备一支FAE和销售团队，专业推广电子产品。

英飞凌600v IGB模块

特征：

1.开关频率可以达到20-30kHz 

2.产品芯片系列DLC,KE3，KE4

3.开关损耗低

型号和参数如下：

BSM50GB60DLC  50A/600V/2U  Vcesat=2.1V    

BSM75GB60DLC  75A/600V/2U  
BSM100GB60DLC  100A/600V/2U    

BSM150GB60DLC  150A/600V/2U  
BSM200GB60DLC  FF200R06KE3  200A/600V/2U   

BSM300GB60DLC FF300R06KE3 300A/600V/2U  

FF400R06KE3   FF400R06KE4  400A/600V/2U

英飞凌1200v IGB模块

特征：

1.RT4采购英飞凌第四代沟槽栅芯片 

2.KT4 开关频率15-20kHz

3.KS4 第二代平面栅非穿透技术，频率可以达到30kHz

4.ME4 扁平封装，适合并联，驱动电路容易设计

FF50R12RT4       FF75R12RT4    FF100R12RT4   FF150R12RT4

FF100R12KS4      FF150R12KS4    FF200R12KS4    FF300R12KS4  

FF150R12KT3G    FF200R12KT4    FF300R12KT4    FF400R12KT4

FF225R12ME4    FF300R12ME4  FF45R012ME4      FF600R12ME4

英飞凌1200v IGB模块

特征：

1.1700v 开关频率不到10kHz

2.英飞凌同比市场其他品牌，稳定性更好

3.低导通损耗
BSM75GB170DN2    BSM100GB170DLC    BSM150GB170DLC  
FF200R17KE3    FF300R17KE3 FF150R17KE4  FF200R17KE4 
FF300R17KE4  FF400R17KE4  
FF225R17ME4 FF300R17ME4 FF450R17ME4 FF600R17ME4

英飞凌对变频器，伺服专用IGBT 模块

特征：

1.PIM模块结构包括整流+制动+逆变

2,实现产品小型化设计

3.低开关损耗和导通损耗

FP10R12W1T4    FP15R12W1T4      FP25R12W1T2 
FP25R12KT3    FP40R12 KT3    FP40R12KE3G/KT3G  
FP50R12KT3    FP75R12KT3  FP100R12KT4

FS50R12KT3 FS75R12KT3 FS100R12KT3 FS150R12KT3

如有采购需求，或者需要技术支持，可以联系力通集团北京办，上海办，深圳办。