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- 所在地:广东 深圳市
品牌:TI/德州仪器型号:PMBT3906批号:17+封装形式:DIP类型:数字集成电路用途:军工功能:稳压电路导电类型:单极型封装外形:单列直插式集成度:中规模50~100工作电源电压:±20VV最大功率:190WW工作温度:-55°C ~ 150°C℃外形尺寸:32mm加工定制:否1.8:2.31.81:2.311.82:2.321.79:2.291.78:2.28详细说明制造商
TI
制造商零件
PMBT3906
描述
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)
详细描述通孔 N 沟道 pval(2068) 6.1A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3

一般信息
数据列表IRFPG50, SiHFPG50;
标准包装 25包装 管件 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET,MOSFET - 单系列-

规格
FET 类型N 沟道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)1000V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)6.1A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)190nC @ 10V
Vgs(最大值)±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)2800pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散(最大值)190W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)2 欧姆 @ 3.6A,10V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3

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