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场效应管 SPW17N80C3(INFINEON/英飞凌)
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  • 支持批量采购
  • 发布时间:2019-01-21 21:41

产地:广东 深圳市 | 归属行业:场效应管

有效期至:长期有效

联系人: 邱先生

手机:13823525974

联系地址:广东深圳深圳市龙华新区深圳市龙华新区民治街道办龙岸花园别墅20栋B

商铺网址: http://qiu1987.okhy.cn/

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  • 所在地:广东 深圳市

品牌:INFINEON/英飞凌型号:SPW17N80C3类型:结型场效应管沟道类型:N型沟道导电方式:增强型适合频率:--封装外形:P-DIT/塑料双列直插材质:N沟道工作电压:--V工作电流:--ASPW17N80C3:场效应管封装:直插N沟道:n沟道原装正品:假一赔十英飞凌:INFINEON详细说明联系方式:15012595938  
联系人:罗S
QQ:3002583933

Attributevalue

通道类型N
最大连续漏极电流17 A
最大漏源电压800 V
最大漏源电阻值290 mΩ
最大栅阈值电压3.9V
最小栅阈值电压2.1V
最大栅源电压-20 V、+20 V
封装类型TO-247
安装类型通孔
引脚数目3
晶体管配置
通道模式增强
类别功率 MOSFET
最大功率耗散227 W
晶体管材料Si
宽度5.21mm
典型关断延迟时间72 ns
每片芯片元件数目1
尺寸16.13 x 5.21 x 21.1mm
最低工作温度-55 °C
长度16.13mm
典型接通延迟时间25 ns
典型栅极电荷@Vgs88 nC @ 10 V
高度21.1mm
系列CoolMOS C3
最高工作温度+150 °C
典型输入电容值@Vds2300 pF @ 100 V

SPW17N80C3 参数



制造商Infineon

产品种类MOSFET 功率

RoHS是

配置Single

晶体管极性N-Channel

电阻汲极/源极 RDS(导通)0.29 Ohms

汲极/源极击穿电压800 V

闸/源击穿电压+/- 20 V

漏极连续电流17 A

功率耗散208 W

最大工作温度+ 150 C

安装风格Through Hole

封装 / 箱体TO-247

封装Tube

下降时间6 ns

最小工作温度- 55 C

上升时间15 ns

Standard Pack Qty240

零件号别名SPW17N80C3XK

原装正品,现货现货现货现货
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):290 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):177nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2320pF @ 25V
功率 - 最大值:227W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
供应商器件封装:PG-TO247-3


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邱先生
13823525974

   
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