深圳市钟意电子科技有限公司
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认证信息
品牌:ON/安森美型号:TIP102G类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:N型沟道导电方式:增强型适合频率:中频封装外形:P-DIT/塑料双列直插材质:N-FET硅N沟道工作电压:100V工作电流:8ANPN - 达林顿:管件8A:100V2.5V @ 80mA,8A:50µA1000 @ 3A,4V:2W详细说明
数据列表 TIP100-102,105-107 产品相片 TO-220-3 PCN 设计/规格 TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014 PCN 组件/产地 Bipolar Power Transistor TO220 Pkg Assembly & Test 16/Oct/2015 EDA / CAD 模型
从 Accelerated Designs 下载 标准包装 50 类别 分立半导体产品 家庭 晶体管(BJT) - 单路 系列 - 包装 管件 晶体管类型 NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 8A 电压 - 集射极击穿(最大值) 100V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 2.5V @ 80mA,8A 电流 - 集电极截止(最大值) 50µA 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 3A,4V 功率 - 最大值 2W 频率 - 跃迁 - 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商器件封装 TO-220AB 产品目录页面 1560 (CN2011-ZH PDF) 其它名称 TIP102GOS
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