深圳市创域兴泰电子科技有限公司
资料信息
认证信息
品牌:MICROSEMI CORPORATION型号:APT94N60L2C3G类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:N型沟道导电方式:增强型适合频率:高频封装外形:CER-DIP/陶瓷直插材质:MES金属半导体工作电压:600V工作电流:60A详细说明 其它名称APT94N60L2C3GMIAPT94N60L2C3GMI-ND
李先生:18307553876 QQ:3064909323
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地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座701
APT94N60L2C3G
厂商: MICROSEMI CORPORATION
类别: FET - 单 分立半导体产品
功能:94 A, 600 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, Mosfet
中文描述:94 A,600 V,0.035 Ohm的N通道,硅,电力,MOSFET
规格参数
产品相片TO-264PKG
产品目录绘图TO-264Front
标准包装30
类别分立半导体产品
家庭FET-单
包装管件
FET类型MOSFETN通道,金属氧化物
FET功能标准
漏源极电压(Vdss)600V
电流-连续漏极(Id)(25°C时)94A(Tc)
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)35毫欧@60A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)3.9V@5.4mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)640nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)13600pF@25V
功率-最大值833W
安装类型通孔
封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
产品目录页面1634(CN2011-ZHPDF)