供应2寸4寸6寸4H-N型高纯半绝缘型碳化硅衬底晶片

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品牌/厂家：皓睿产品名称：碳化硅衬底类型：化合物半导体材料材质：碳化硅area class="lazyLoad">

碳化硅（SiC）是一种宽禁带半导体材料，具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学稳定性、抗辐射的性能，具有与氮化镓（GaN）相近的晶格常数和热膨胀系数，不仅是制作高亮度发光二极管（HB-LED）的理想衬底材料，也是制作高温、高频、高功率以及抗辐射电子器件的理想材料。

碳化硅衬底规格书 

Grade：                          Production  /   Research   /  Dummy
Micropipe Density：        < 5 cm-2   /  < 15 cm-2  /  < 50 cm-2 

Orientation：                  or Others

Off cut：                          4° toward

Diameter：                     2inch /  3inch /  4inch / 6inch

Thickness：                    330  /  350  /  350  / 350 um

Type：                                  4H-N       /      6H-N     /  4H-SI   /  6H-SI

Resistivity：                   0.015~0.028  /  0.02~0.1  /          >1E5     Ohm-cm

Surface Finish：             SSP / DSP / As cut / Lapped / Etched

Flat / Notch：                2 Flat ，SEMI-Std.  

Package：                      Class 100 clean room and vacuum nitrogen , 1or25pcs in each cassette

 产品定制与细节请联系 derry@helioswafer.com

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 产品定制与细节请联系 derry@helioswafer.com

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