司坦森集成电路(深圳)有限公司
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品牌:STANSON/司坦森型号:STN8205A TSSOP-8类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:N型沟道导电方式:增强型适合频率:低频封装外形:SMDSO/表面封装材质:N-FET硅N沟道工作电压:20V工作电流:5A最大允许功耗:1.5W用途:开关电源加工定制:否RDS(ON):21mΩPACKAGE:TSSOP-8 描述 特征 诚招代理分销商。 联系人:林小姐 电话:0755-82807755-806 手机:15986616804 QQ:2414271933 邮箱:lxy@stansontech.com 地址:深圳市福田区福明路雷圳大厦2605室 部分产品可代替ANPEC茂达、FAIRCHILD仙童、AOS、VISHAY威世等 ST2300SRG可替代WNM2016 ST2301A可替代Si2301、AO3423、FDN302P、FDN342P、FDN338P、APM2313、APM2323、STM2309 ST2302替代Si2302、TN0200T、FDN339AN、FDN371N、FDN335N、APM2314、APM2324、SSM3K102TU ST2303替代Si2303、Si2307、Si2323、AO3405、AO3409、AO3421、FDN360P、FDN358P、FDN352AP ST2305可替代Si2305、FDN304P、APM2301、NTR4101PT1G、RTR030P02、IRLML6402 ST3400SRG替代NTR4170NT1G ST2341SRG替代AO3415、PPM3T20V6、SM2307PSA ST2300替代SI2312、AO3416AO3420、AP2302AGN/PNMT20V06 ST2304替代Si2304 Si2306 AO3406NDS355AN APM2306 ST2305A替代FDN306P、DMP2035U ST2400S23RG替代AO3400、AP2305AGN、IRFML8244 ST3401M替代AO3401、CES2307 ST3422A替代AO3422A、ZXMN6A07F、G2301A STN1810替代AO4886 STN4402替代Si4420 Si4882 Si4820 Si4894 AO4420 /4404B AO4422 AO4446 FDS6630A FDS6614A FDS6680 FDS6924 APM4820IRF7413/AP4800AGM XZN4420 STP4407可替代AO4407、APM4315K STP4435A替代Si4431、Si4435、Si4425、AO4411、AO4415、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4419、si9804 STN4438替代ME4436 STN4488L替代AO4728L、IRF7832、SI7898DP、AO4410 STC4606替代SI5504、AO4606 STC4616替代Si4567、AOS4614 STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930/MDS5951 STN4920替代Si4920、AO4812 STP4953替代Si4953、AO4803、FDS8958、APM4953 ST9435替代Si9435、Si4431、AO4405、FDS9435、SSM9435GM ST16N10替代APM1110NUB、IRLR/U120NPbF、CEU12N10L ST13P10替代SFR9120、AM1A16PSU/UB、IRF9530 STN8882D替代SUD50N024、AOD452、FDD7030BL、LR3103、IRFR3707
stn8205a是双N沟道增强型功率场效应晶体管
采用高密度,DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程
特别是定制,以尽量减少对国家的阻力。这些设备是特别
适用于低电压应用,如笔记本电脑电源管理和
其他电池供电的电路,其中高侧开关是必需的。
20V/5.0A,RDS(ON)= mΩ(典型值
@ VGS = 4.5V
20V/3.0A,RDS(ON)= 27m欧姆
@ VGS = 2.5V
超高密度电池设计
极低的RDS(on)
l特别低的阻力和
最大直流电流能力
tssop-8包装设计