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品牌:ON/安森美型号:2993 集成电路及其引线应远离脉冲高压源 设置集成电路位置时应尽量远离脉冲高压、高频等装置。连接集成电路的引线及相关导线要尽量短,在不可避免的长线上要加入过压保护电路, 尤其是汽车用收录机的安装更要注意。CMOS电路接线时,外围元件应尽量靠近所连管脚,引线力求短捷,避免使用平行的长引线,否则易引人较大的分布电容和分布电感,容易形成LC振荡。解决的办法是在输人端串人10KΩ电阻。 CMOS用于高速电路时,要注意电路结构和印制板的设计。输出引线过长,容易产生“振铃”现象.引起波形失真。 由于ECL属于高速数字集成电路,因此必须考虑信号线上存在的“反射”以及相邻信号线之间的“串扰”等特殊问题,必要时应采用传输线(例如同轴电缆),并保证传输线的阻抗匹配。此外,还需采用一定的屏蔽、隔离措施。当工作频率超过200Mz时,宜选用多层线路板,以减少地线阻抗。 MC33035DW2G 首先,门极-源极间电压以0V时考虑(VGS =0)。在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加,漏电流ID几乎与VDS 成比例增加,将此区域称为非饱和区。VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小,几乎达到一定值。此时的ID 称为饱和漏电流(有时也称漏电流用IDSS 表示。与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ,此区域称为饱和区。 其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V),VGS 值从0开始向负方向增加,ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少,对某VGS 值ID =0。将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压,用VGS (off)示。n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。 STP65NF06