台湾TWGMC场效应管AO3423

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品牌：TWGMC台湾）型号：AO3423类型：结型场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：中频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：20V工作电流：100mA最大允许功耗：5W用途：增强外形尺寸：20mm加工定制：是50mA：0.95Varea class="lazyLoad">

AO3423场效应管

品牌：TWGMC

型号：AO3423
封装：SOT23
包装：3000
年份：201806+
数量：600000
TWGMC 授权代理商
香港迪嘉有限公司
联系人：郭先生
电话：15816876741​

P沟道增强型MOSFETω特征7.VDS（V）＝-20V7.RDS（on）×100mΩ（VGS＝-4.5V）7.RDS（on）×150μΩ（VGS＝-2.5V）绝对绝对最大额定值Ta＝25℃参数符号5秒稳态单元漏极电压VDS栅源电压VGS连续漏电流* 1TA＝25℃- 2.4—2.2TA＝70℃- 1.9—1.8脉冲漏电流* 2 IDM功耗* 1 TA＝25℃0.9×0.7WTa＝70℃0.57 0.57热阻.结到环境* 1 120 120＊3、140、175结温TJ储存温度范围局部放电一百五十- 55至150RTHJA身份证件- 20±8- 10V一℃℃/w* 1表面安装在FR4板上，T小于5秒。* 2脉宽受最大结温限制。* 3表面安装在FR4板上。​

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