台湾GMC 代理三极管SS8050

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品牌：台湾TWGMC型号：SS8050用途：功率结构：NPN管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：040VW频率特性：3V50NAMHz工作电压：0.5V工作电流：0.30A电流放大倍数：1.3反向击穿电压：0.22V穿透电流：0.35A极间反向饱和电流：0.55A50mA：0.95Varea class="lazyLoad">

SS8050晶体管（NPN）

品牌：TWGMC

型号：SS8050
封装：SOT23
包装：3000
年份：201806+
数量：600000

TWGMC 授权代理商

香港迪嘉有限公司
联系人：郭先生
电话：15816876741

特征：

SS8050晶体管(NPN)特征免费提供SS8550标记：Y1最高收视率(Ta=25℃，除非另有说明)符号参数值单位VCBO收集器-基准电压40V集电体-发射极电压25VVEBO发射极-基极电压5V集成电路集热器电流-连续1.5APC集热器功耗0.3WTJ结温150℃储存温度-55-150℃电特性(Ta=25℃，除非另有规定)参数符号测试条件Min Typ MAX单元集电极碱击穿电压V(Br)cbo IC=100μA，IE=0 40V集电极发射极击穿电压V(Br)CeO IC=0.1mA，IB=025V发射极-基极击穿电压V(Br)EBOIE=100μA，IC=0 5V集电极切断电流ICBOVCB=40V，IE=0.1μA集电极切断电流iCeVCB=20V，IE=0.1μA发射极截止电流iBOVEB=5V，IC=0.1μAHFE(1)VCE=1V，IC=100 mA 120 400直流电流增益HFE(2)VCE=1V，IC=800 mA 40集电极发射极饱和电压VCE(SAT)IC=800 mA，IB=80 mA 0.5 V基极饱和电压VBE(SAT)IC=800 mA，IB=80 mA 1.2V跃迁频率FTVCE=10V，IC=50 mAF=30 MHz100兆赫HFE分类(1)秩L H J范围120-200 200-350 300-400Sot-231.基地2.发射极3.收集器

特征：

SS8050晶体管(NPN)特征免费提供SS8550标记：Y1最高收视率(Ta=25℃，除非另有说明)符号参数值单位VCBO收集器-基准电压40V集电体-发射极电压25VVEBO发射极-基极电压5V集成电路集热器电流-连续1.5APC集热器功耗0.3WTJ结温150℃储存温度-55-150℃电特性(Ta=25℃