3DD159系列 低频大功率三极管 3DD159A

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品牌：国产型号：3DD159A用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：合金型三极管功耗：10Warea class="lazyLoad">

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NPN 硅低频大功率三极管
 
特点； 产品采用三重扩散工艺，抗烧毁能力强，二次击穿耐量高，温度稳定性好，抗热疲劳能 力强。
应用范围； 低速开关，低频功率放大，电源调整。
使用温度范围； -55±3°C﹏175±3°C
质量等级； 国军标 JP JT JCT级，GS G G﹢级

 3DD159A  集电极-发射极电压  50V   发射极-基极电压  5V

          最大集电极电流  5A      最大集电极耗散功率 50W
 
 3DD159B  集电极-发射极电压  100V  发射极-基极电压  5V
          最大集电极电流  5A      最大集电极耗散功率 50W

3DD159C  集电极-发射极电压  150V  发射极-基极电压  5V

          最大集电极电流  5A      最大集电极耗散功率 50W

 3DD159D  集电极-发射极电压  200V  发射极-基极电压  5V

          最大集电极电流  5A      最大集电极耗散功率 50W
 
 3DD159E  集电极-发射极电压  250V  发射极-基极电压  5V

          最大集电极电流  5A      最大集电极耗散功率 50W
 
 3DD159F  集电极-发射极电压  300V  发射极-基极电压  5V

          最大集电极电流  5A      最大集电极耗散功率 50W
 
 
 色标； 红 15-25  橙25-40  黄 40-55  绿 55-80   兰 80-120  紫120-180

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