IMW120R045M1碳化硅MOS

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品牌：INFINEON/英飞凌型号：IMW120R045M1类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CHIP/小型片状工作电压：1200V工作电流：52Aarea class="lazyLoad">

IMZ120R045M1 在15V门极电压，以及400V及800V母线电压下的短路电流。从中可以看出，母线电压对峰值电流影响很小。

当芯片开始被加热之后，800V母线电压会产生更多的能量，导致芯片结温高于400V母线电压的情况，因此VDC=800时，漏极电流下降更快，峰值过后很快低于400V VDC。

在实际应用中，门极电压对于驱动SiCMOSFET来说非常重要，尽管更高的驱动电压可以带来降低RDSON的好处，但是较高的门极电压会带来更高的短路电流。

通过测试我们可以看到，对于IMZ120R045M1，在母线电压800V，栅极电压18V，短路脉冲4us的情况下，器件会出现短路失效。因此，出于导通特性与栅氧化层寿命及短路保护的折衷考虑，我们依然推荐15V的正驱动电压。

SiC MOSFET 与IGBT相比短路耐受时间比较短。但是，选择合适的驱动IC及外围电路设置，SiC MOSFET依然能在短路时安全关断，从而构建非常牢固与可靠的系统。