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台湾TWGMC场效应管SI2300
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  • 发布时间:2019-03-10 21:43

产地:香港 | 归属行业:场效应管

有效期至:长期有效

联系人: 郭先生

手机:15816876741

联系地址:香港九龙旺角花园街2-16号好景商业中心27楼

商铺网址: http://twgmc.okhy.cn/

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品牌:TWGMC台湾)型号:SI2300类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:N型沟道导电方式:增强型适合频率:中频封装外形:SMDSO/表面封装材质:MES金属半导体工作电压:20V工作电流:1A最大允许功耗:5W用途:增强外形尺寸:3mm加工定制:否50mA:0.95V



​SI2300 场效应管

品牌:TWGMC

型号:SI2300
封装:SOT23
包装:3000
年份:201806+
数量:600000
TWGMC 授权代理商
香港迪嘉有限公司
联系人:郭先生
电话:15816876741








20V N沟道增强模MOSFET评分:2300AO34011阿阿SI2300www.tw-gmc.com电学特性Ta=25参数符号测试条件Min Typ MAX单元漏源击穿电压VDSS VGS=0V,ID=250 uA 20V零栅电压漏电流IDSS VDS=20V,VGS=0V1UA门体泄漏IGSS vgs=10v vds=0v100na栅阈值电压*VGS(TH)VGS=VDS,ID=250 uA 0.6 0.78 1.5 VVGS=4.5V,ID=5.0A 32 40mVGS=2.5V,ID=4.0A 50 60mVGS=1.8V,ID=1.0A 62 75m通态漏电流*ID(ON)VDS=5V,VGS=4.5V 18A正向跨导*GFS VDS=5V,ID=5A 5S输入电容CISS 888 PF输出电容Coss 144 PF反向传输电容CRSS 115 PF开启延迟时间TD(ON)31.8 ns上升时间Tr 14.5 ns关断延迟时间TD(OFF)50.3 ns下落时间TF 31.9 ns总栅电荷QG 16.8 NC栅-S源收费QGS 2.5 NC浇口漏荷Qgd 5.4nc漏极源二极管正向电流*为1.25 A二极管正压VSD VGS=0V,IS=1.25A 0.825 1.2V*脉冲测试:脉宽300,占空比2%VDS=10V,ID=3.5A,VGS=4.5V漏-源-状态电阻*RDS(ON)VDD=10V,ID=1A,VGS=4.5V,RL=10,rgen=6VDS=15V,VGS=0V,f=1.0MHZ2AO3401 SI2300


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郭先生
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