等离子刻蚀ICP

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品牌：其他型号：Minilock-Phantom III ICP

Minilock-Phantom III具有预真空室的反应离子刻蚀机

可适用于单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸批处理功能(4x3”; 3x4”; 7x2”)。

系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck)，以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器，及在基片背面保持一个氦冷却层，从而达到控制基片温度的作用。
该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源，其使得用户可以创建高密度等离子，从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。
基片通过预真空室装入。其避免与工艺室以及任意残余刻蚀副产品接触，从而提高了用户安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下，从而隔绝外部湿气，防止反应室内可能发生的腐蚀。

Minilock-Phantom III具有预真空室的反应离子刻蚀机

可适用于单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸批处理功能(4x3”; 3x4”; 7x2”)。

系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck)，以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器，及在基片背面保持一个氦冷却层，从而达到控制基片温度的作用。
该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源，其使得用户可以创建高密度等离子，从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。
基片通过预真空室装入。其避免与工艺室以及任意残余刻蚀副产品接触，从而提高了用户安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下，从而隔绝外部湿气，防止反应室内可能发生的腐蚀。

Minilock-Phantom III具有预真空室的反应离子刻蚀机

可适用于单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸)，为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸批处理功能(4x3”; 3x4”; 7x2”)。

系统有多达七种工艺气体可以用于刻蚀各种薄膜，如氧化硅、氮化硅、多晶硅、铝、砷化镓、铬、铜、磷化铟和钛。该反应室还可以用于去除光刻胶和有机材料。可选配静电吸盘(E-chuck)，以便更有效地在刻蚀工艺中让基片保持冷却。该E-chuck使用氦压力控制器，及在基片背面保持一个氦冷却层，从而达到控制基片温度的作用。
该设备可选配一个电感耦合等离子(ICP)源，其使得用户可以创建高密度等离子，从而提高刻蚀速率和各向异性等刻蚀性能。
基片通过预真空室装入。其避免与工艺室以及任意残余刻蚀副产品接触，从而提高了用户安全性。预真空室还使得工艺室始终保持在真空下，从而隔绝外部湿气，防止反应室内可能发生的腐蚀。​

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