台湾TWGMC场效应管2N7002

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品牌：TWGMC（台湾）型号：2N7002类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：中频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道工作电压：20V工作电流：10A最大允许功耗：5W用途：增强外形尺寸：20mm加工定制：否50mA：0.95V

2N7002 场效应管

品牌：TWGMC

型号：2N7002
封装：SOT23
包装：3000
年份：201806+
数量：600000
TWGMC 授权代理商
香港迪嘉有限公司
联系人：郭先生
电话：15816876741

SOT-23塑料封装MOSFET2N7000 2 MOSFET（N沟道）特征低RDS（ON）的高密度电池设计电压控制小信号开关坚固耐用高饱和电流能力标记最大额定值（TA＝25℃，除非另有说明）SOT-231。门2。来源三。排水沟参数符号值单位漏源电压VDS 60 V连续漏电流Id 0.11 A功率耗散PD 0.22 W从结到室温R Th JA 556℃/W的热阻结温TJ 150储藏温度TSTG—50～150℃栅源电压VGS 20 VV（BR）DSS RDS（ON）MAX ID60伏5Ω@ 10V妈妈7Ω@ 5V应用γγ等效电路便携式设备的负载开关DC/DC变换器一百一十2N7000。 1参数符号测试条件min Typ max单位漏源击穿电压V（BR）DSS VGS＝0 V，ID＝250μA 60栅极阈值电压VTH（GS）VDS＝VGS，ID＝250μA 1 V门体泄漏LGSS VDS＝0 V，VGS＝±20 V±80 nA零栅极电压漏电流IDSS VDS＝60 V，VGS＝0 V 80 NA关于漏极电流Id（on）VGS＝10 V，VDS＝7 V 500毫安VGS＝10 V，ID＝500毫安0.9×5漏源电阻RDS（on）VGS＝5 V，ID＝50mA 1.1 7Ω正向跨导GFS VDS＝10 V，ID＝200毫安80毫秒VGS＝10V，ID＝500毫安0.5 3.75 V漏源电压VDS（on）VGS＝5V，ID＝50mA 0.05 0.375 V二极管正向电压VSD＝115Ma，VGS＝0 V 0.55 V 1.2 V。输入Capacitance Ciss 50输出电容COSs 25反向转移Capacitance CrssVDS＝25V，VGS＝0V，F＝1MHz五酚醛树脂切换时间打开时间Td（on）20关闭时间TD（关闭）VDD＝25 V，RL＝50ID＝500毫安，VGEN＝10 VRg＝25四十纳秒******这些参数无法验证。Ω，Ω二点五MOSFET电特性TA＝25℃，除非另有说明​。