合芯半导体(深圳)有限公司
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品牌:HS 合芯型号:13001 8D 0.83芯片用途:高反压结构:其他半导体材料:硅封装方式:塑料封装详细说明 HOT SALE热卖展示 ¥0.11¥0.12 专业供应三极管 场效应MOS管 40N10 TO-252 ¥0.70¥0.70 合芯半导体大量供应 13003 1.18三极管现货批发 ¥0.13¥0.13 合芯半导体 现货批发13003系列大功率三极管 ¥0.06¥0.06 三极管D4205D TO-126封装 用于电子镇流器 节能灯 [厂家直销] ¥0.45¥0.45 ¥0.75¥0.75 专业供应 BU406 TO-220 合芯半导体厂家直销 现货批发 ¥0.52¥0.52 专业供应 T0-92封装功率三极管 1300系列三极管批发 插件三极管 ¥0.06¥0.06 合芯半导体 100-8 SOT-23 单向可控硅 ¥95.00¥95.00 13001,TO-92是合芯半导体为充电器厂家生产的功率开关三极管,具有反压高于490v,价格实惠的特征,QQ1336260117 。产品具体参数如下: LIMMITING VALUES(Tj=25℃Unless Otherwise Stated) Parameter Symbol Value Unit Collector-base Voltage VCBO 600 V Collector-Emitter Voltage VCEO 400 V Emitter-base Voltage VEBO 7 V Collector Current Ic 0.2 A Total Power Dissipattion Pc 0.65 W Storage Temperature Tstg -65~150 ℃ Junction Temperature Tj 150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tj=25℃Unless Otherwise Stated) Parameter Symbol Test conditions Min Max Unit Collector-base Breakdown Voltage BVCBO Ic=0.5mA,Ie=0 600 V Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO Ic=10mA,Ib=0 400 V Emitter-base Breakdown Voltage BVEBO Ie=1mA,Ic=0 7 V ICBO Vcb=600V,Ie=0 100 μA ICEO Vce=400V,Ib=0 20 μA Emitter-base Cutoff Current IEBO Veb=7V,Ic=0 100 μA hFE Vce=20V,Ic=20mA 10 40 Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat) Ic=50mA,Ib=10mA 0.6 V base-Emitter Saturation Voltage VBE(sat) Ic=200mA,Ib=100mA 1.2 V Storage Time Ts Ic=0.1mA, (UI9600) 2 μS VCE=20V,Ic=20mA f=1MHZ 5 MHZ CLASSIFICATION OF Hfe(1) 10-15 15-20 20-25 30-35
Collector-base Cutoff Current Collector- EmitterCutoff Current DC Current Gain Falling Time fT Range
15-20 | 20-25 | 30-35 |