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合芯半导体专业批发电源充电器使用三极管13001
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  • 发布时间:2019-01-18 17:19

产地:广东 深圳市 | 归属行业:三极管

有效期至:长期有效

联系人: 方小莉

手机:18926019055

联系地址:广东深圳深圳市宝安区新湖路华美居商务中心B区一号楼813

商铺网址: http://hxsemi.okhy.cn/

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  • 所在地:广东 深圳市

品牌:HS 合芯型号:13001 8D 0.83芯片用途:高反压结构:其他半导体材料:硅封装方式:塑料封装详细说明

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13001,TO-92是合芯半导体为充电器厂家生产的功率开关三极管,具有反压高于490v,价格实惠的特征,QQ1336260117 。产品具体参数如下:


LIMMITING VALUES(Tj=25℃Unless Otherwise Stated)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-base Voltage

VCBO

600

V

Collector-Emitter Voltage

VCEO

400

V

Emitter-base Voltage

VEBO

7

V

Collector Current

Ic

0.2

A

Total Power Dissipattion

Pc

0.65

W

Storage Temperature

Tstg

-65~150

Junction Temperature

Tj

150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tj=25℃Unless Otherwise Stated)

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

Max

Unit

Collector-base Breakdown Voltage

BVCBO

Ic=0.5mA,Ie=0

600

V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

BVCEO

Ic=10mA,Ib=0

400

V

Emitter-base Breakdown Voltage

BVEBO

Ie=1mA,Ic=0

7

V

Collector-base Cutoff Current

ICBO

Vcb=600V,Ie=0

100

μA

Collector- EmitterCutoff Current

ICEO

Vce=400V,Ib=0

20

μA

Emitter-base Cutoff Current

IEBO

Veb=7V,Ic=0

100

μA

DC Current Gain

hFE

Vce=20V,Ic=20mA

10

40

Collector-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

Ic=50mA,Ib=10mA

0.6

V

base-Emitter Saturation Voltage

VBE(sat)

Ic=200mA,Ib=100mA

1.2

V

Storage Time

Ts

Ic=0.1mA, (UI9600)

2

μS

Falling TimefT

VCE=20V,Ic=20mA

f=1MHZ

5

MHZ

CLASSIFICATION OF Hfe(1)

Range

10-15

15-20

20-25

30-35

15-20

20-25

30-35


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方小莉
18926019055

   
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