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首页 > 产品库 > 电子元器件 > 三极管 > 合芯半导体（深圳）有限公司 > 合芯半导体专业生产三极管 直插三极管13001，0.66芯片
合芯半导体（深圳）有限公司
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合芯半导体专业生产三极管 直插三极管13001，0.66芯片
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  • 支持批量采购
  • 发布时间：2019-05-30 05:40
合芯半导体（深圳）有限公司 进入店铺

产地：广东 深圳市 | 归属行业：三极管

有效期至：长期有效

联系人: 方小莉

手机：18926019055

联系地址：广东深圳深圳市宝安区新湖路华美居商务中心B区一号楼813

商铺网址: http://hxsemi.okhy.cn/

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合芯半导体（深圳）有限公司

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  • 所在地：广东 深圳市

品牌：HS 合芯型号：13001 0.66芯片用途：功率结构：其他半导体材料：硅封装方式：塑料封装area class="lazyLoad">

三极管13001,TO-92 合芯半导体原厂生产，为电源充电器厂家使用的功率开关三极管，具有反压高于490v，价格实惠的特征，具体参数如下：

产品以上报价只为参考价，详情请咨询QQ1336260117

LIMMITING VALUES(Tj=25℃Unless Otherwise Stated)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-base Voltage

VCBO

600

V

Collector-Emitter Voltage

VCEO

400

V

Emitter-base Voltage

VEBO

7

V

Collector Current

Ic

0.2

A

Total Power Dissipattion

Pc

0.65

W

Storage Temperature

Tstg

-65~150

℃

Junction Temperature

Tj

150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tj=25℃Unless Otherwise Stated）

Parameter

Symbol

Test conditions

Min

Max

Unit

Collector-base Breakdown Voltage

BVCBO

Ic=0.5mA,Ie=0

600

V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

BVCEO

Ic=10mA,Ib=0

400

V

Emitter-base Breakdown Voltage

BVEBO

Ie=1mA,Ic=0

7

V

Collector-base Cutoff Current

ICBO

Vcb=600V,Ie=0

100

μA

Collector- EmitterCutoff Current

ICEO

Vce=400V,Ib=0

20

μA

Emitter-base Cutoff Current

IEBO

Veb=7V,Ic=0

100

μA

DC Current Gain

hFE

Vce=20V,Ic=10mA

10

40

Collector-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

Ic=50mA,Ib=10mA

0.5

V

base-Emitter Saturation Voltage

VBE(sat)

Ic=50mA,Ib=10mA

1.2

V

Storage Time

Ts

Ic=0.1A, (UI9600)

2

μS

Falling TimeTf

Vce=20V,Ic=20mA

f=1MHZ

5

MHZ

CLASSIFICATION OF Hfe(1)

Range

10-15

15-20

20-25

30-35

area>


关键词：合芯半导体专业生产三极管 直插三极管13001，0.66芯片 合芯半导体（深圳）有限公司
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方小莉
18926019055

   
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