半导体设计、苏州拓光微电子(图)

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品牌：其他型号：4235类型：小功率结构：绕线片状电感器外形：方形工字型电感量：5822μH额定电流：4649A直流电阻：8182Ω测量频率：8445MHz品质因数Q值：8533外形尺寸：9755mm加工定制：是area class="lazyLoad">

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目前用来成长高纯度单晶半导体材料最常见的方法称为裘可拉斯基制程（Czochralski process）。这种制程将一个单晶的晶种（seed）放入溶解的同材质液体中，再以旋转的方式缓缓向上拉起。在晶种被拉起时，溶质将会沿着固体和液体的接口固化，而旋转则可让溶质的温度均匀。

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半导体的发现实际上可以追溯到很久1以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最z先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首1次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特1效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

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半导体五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。

★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。

★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。