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首页 > 产品库 > 电子元器件 > 场效应管 > 青岛佳恩半导体有限公司 > JNFP15N120MY21 原厂销售 IGBT模块替代泰科P540
青岛佳恩半导体有限公司
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JNFP15N120MY21 原厂销售 IGBT模块替代泰科P540
关于JNFP15N120MY21 原厂销售 IGBT模块替代泰科P540信息的二维码

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  • ￥: 72.00元/
  • 起订量：5
  • 可售数量: 10000
  • 支持批量采购
  • 发布时间：2019-05-30 05:17
青岛佳恩半导体有限公司 进入店铺

产地：山东 青岛市 | 归属行业：场效应管

有效期至：长期有效

联系人: 徐旭

手机：18561536907

联系地址：山东青岛青岛市城阳区青岛市城阳区长城路89号博士创业园29栋5层

商铺网址: http://jiaensemi.okhy.cn/

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青岛佳恩半导体有限公司

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  • 发货期限：自买家付款之日起 天内发货
  • 所在地：山东 青岛市

品牌：青岛佳恩型号：JNFP15N120MY21类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材质：N-FET硅N沟道工作电压：15AV工作电流：1200VAarea class="lazyLoad">

 IGBT模块/IGBT Module 

特性：                                                          

l  10μs短路承受时间                                          

l  低饱和压降: VCE (sat)= 2.20V @ IC= 15A , TC=25℃                                                                   

l  低开关损耗 

l  100% RBSOA测试 （2倍额定电流） 

l  低杂散电感 

l  无铅模块，符合RoHS要求 

Features： 

l  Short Circuit Rated 10μs

l  Low Saturation Voltage: VCE (sat)= 2.20V @ IC= 15A , TC=25℃

l  Low Switching Loss

l  100% RBSOA  Tested（2×Ic）

l  Low Stray Inductance

l  Lead Free,Compliant with RoHS Requirement 

应用：                                                        Applications： 

l  工业变频器                                                          Industrial Inverters

l  伺服应用                                                             Servo Applications

IGBT,逆变器/ IGBT,Inverter

最大额定值/ Maximum Rated Values

VCES

集电极-发射机电压

Collector-Emitter Blocking Voltage

1200

V

VGES

门极－发射极电压

Gate-Emitter Voltage

±20

V

IC

集电极直流电流  

Continuous Collector Current

TC= 80℃,

15

A

TC= 25℃

30

A

ICM(1)

集电极脉冲电流

Peak Collector Current Repetitive

TJ= 150℃

30

A

tSC

短路承受时间    

Short Circuit Withstand Time

>10

μs

PD

单桥臂IGBT最大耗散功率

Maximum Power Dissipation (IGBT)

TC= 25℃

TJmax=150℃

150

W 

IGBT的电气特性 Electrical Characteristics of IGBT(TJ= 25℃)

静态特性/Static characteristics                                                                                            Min        Typ        Max

VGE(th)

门极－发射极阈值电压

Gate-Emitter Threshold Voltage

IC= 1 mA, VCE= VGE

4.0

5.0

6.0

V

VCE(sat)

集电极－发射极饱和电压

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 15 A,

VGE = 15V

TJ= 25℃

 

2.20

2.40

V

TJ= 125℃

 

2.70

 

V

ICES

集电极－发射极漏电流

Collector-Emitter Leakage Current

VGE= 0V,

VCE  = VCES,  TJ= 25℃

 

 

1

mA

IGES

门极－发射极漏电流

Gate-Emitter Leakage Current

VGE= 0V,

VCE  = VCES,  TJ= 25℃

 

 

200

nA

Cies

输入电容

Input Capacitance

VCE= 25V, VGE= 0V ,

f＝1MHz

 

1.5

 

nF

Coes

输出电容

Output Capacitance

 

0.13

 

nF

开关特性/Switching Characteristics

td(on)

开通延迟时间

Turn-on Delay Time

VCC= 600V,IC= 15A,

RG  = 68 ????????,VGE= ±15V,

Inductive Load

TJ= 25℃

 

120

 

ns

TJ= 125℃

 

100

 

tr

上升时间

Rise Time

TJ= 25℃

 

60

 

ns

TJ= 125℃

 

50

 

td(off)

关断延迟时间

Turn-off Delay Time

TJ= 25℃

 

330

 

ns

TJ= 125℃

 

375

 

tf

下降时间

Fall Time

TJ= 25℃

 

280

 

ns

TJ= 125℃

 

425

 

Eon

开通损耗

Turn-on Switching Loss

TJ= 25℃

 

1.6

 

mJ

TJ= 125℃

 

1.85

 

Eoff

关断损耗

Turn-off Switching Loss

TJ= 25℃

 

0.65

 

mJ

TJ= 125℃

 

0.83

 

Qg

门极充电电量

Total Gate Charge

TJ= 25℃

 

130

 

nC

RBSOA

安全工作区

RBSOA

IC=30A,VCC=960V,Vp=1200V,             Rg = 15????????, VGE=+15V to 0V, TJ=150°C

Trapezoid

 

SCSOA

短路安全工作区

SCSOA

VCC= 600V, VGE= 15V,

TJ= 150℃

10

 

 

μs

RθJC

单桥臂IGBT芯片与外壳间热阻

Junction-To-Case (IGBT Part, Per Leg)

 

 

0.83

℃/W

 

二极管,逆变器/ Diode, Inverter

 

最大额定值/ Maximum Rated Values

VRRM

反向重复峰值电压

Repetitive peak reverse voltage

1200

V

IF

二极管正向直流电流  

Diode Continuous Forward Current

15

A

IFM

二极管正向脉冲电流

Peak FWD Current Repetitive

30

A

二极管的电气特性/Electrical Characteristics of FWD                                

VFM

正向压降

Forward Voltage

IC= 15 A ,

VGE = 15V

TJ= 25℃

 

1.90

 

V

TJ= 125℃

 

2.00

 

Irr

反向恢复峰值电流

Peak Reverse Recovery Current

IF＝15A, 

di/dt =500A/μs,

Vrr=  600V,

VGE= 15V

TJ= 25℃

 

15

 

A

TJ= 125℃

 

30

 

Qrr

反向恢复充电电量

Reverse Recovery Charge

TJ= 25℃

 

0.54

 

μC

TJ= 125℃

 

1.15

 

Erec

反向恢复损耗（每脉冲）

Reverse Recovery Energy

TJ= 25℃

 

0.60

 

mJ

TJ= 125℃

 

1.18

 

RθJC

桥臂二极管芯片与外壳间热阻

Junction-To-Case Diode Part, Per Leg

 

1.81

 

℃/W


 产品详情数据具体请参考友情链接的独立网站里面的产品数据或者电话咨询！徐经理：18561536907

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关键词：JNFP15N120MY21 原厂销售 IGBT模块替代泰科P540 青岛佳恩半导体有限公司
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徐旭
18561536907

   
免责声明：
以上所展示的JNFP15N120MY21 原厂销售 IGBT模块替代泰科P540供应信息由青岛佳恩半导体有限公司自行提供，JNFP15N120MY21 原厂销售 IGBT模块替代泰科P540信息内容的真实性、准确性和合法性由发布企业青岛佳恩半导体有限公司负责，本网站不承担任何责任。本网站不涉及用户间因交易而产生的法律关系及法律纠纷，纠纷由您自行协商解决。
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