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首页 > 产品库 > 电子元器件 > 场效应管 > 青岛佳恩半导体有限公司 > JNFP40N120M 工控用 IGBT模块替代FP40R12KT3
青岛佳恩半导体有限公司
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JNFP40N120M 工控用 IGBT模块替代FP40R12KT3
关于JNFP40N120M 工控用 IGBT模块替代FP40R12KT3信息的二维码

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  • ￥: 158.00元/
  • 起订量：5
  • 可售数量: 10000
  • 支持批量采购
  • 发布时间：2019-03-03 21:47
青岛佳恩半导体有限公司 进入店铺

产地：山东 青岛市 | 归属行业：场效应管

有效期至：长期有效

联系人: 徐旭

手机：18561536907

联系地址：山东青岛青岛市城阳区青岛市城阳区长城路89号博士创业园29栋5层

商铺网址: http://jiaensemi.okhy.cn/

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  • 发货期限：自买家付款之日起 天内发货
  • 所在地：山东 青岛市

品牌：青岛佳恩型号：JNFP40N120M类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材质：N-FET硅N沟道工作电压：40AV工作电流：1200VA

JNFP40N120M                             

IGBT Module

 

Features：

 

l  IGBT Inverter Short Circuit Rated 10μs

l  IGBT Inverter Low Saturation Voltage

l  Low Switching Loss

l  Low Stray Inductance

l  Lead Free, Compliant With RoHS Requirement


Applications： 

l  Industrial Inverters

l  Servo Applications

IGBT-Inverter

Absolute Maximum Ratings(TC= 25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Description

Value

Units

VCES

Collector-Emitter Blocking Voltage

1200

V

VGES

Gate-Emitter Voltage

±20

V

IC

Continuous Collector Current

TC= 80℃

40

A

TC= 25℃

80

A

ICM(1)

Peak Collector Current Repetitive

TJ= 150℃

80

A

tSC

Short Circuit Withstand Time           

TJ= 150℃

>10

μs

PD

Maximum Power Dissipation (IGBT)

TC= 25℃

TJmax=150℃

255

W

 

Characteristic Values(TJ= 25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Description

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

ICES

Collector-Emitter Leakage Current

VGE= 0V,

VCE = VCES

TJ= 25℃

 

 

1

mA

IGES

Gate-Emitter Leakage Current

VGE= VGES,

VCE= 0V

TJ= 25℃

 

 

200

nA

VGE(th)

Gate-Emitter Threshold Voltage

IC= 1 mA, VCE= VGE

4.5

5.2

6.5

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation

Voltage

IC= 40A ,

VGE = 15V

TJ= 25℃

 

1.90

2.10

V

TJ= 125℃

 

2.20

2.40

V

Cies

Input Capacitance

VCE= 25V, VGE= 0V ,

f＝1MHz

 

2.2

 

nF

Coes

Output Capacitance

 

0.21

 

nF

 

 

td(on)

Turn-on Delay Time

VCC= 600V, IC= 40A,

RG= 33??, VGE=±15V ,

Inductive Load, TJ= 25℃

 

115

 

ns

tr

Rise Time

 

70

 

ns

td(off)

Turn-off Delay Time

 

475

 

ns

tf

Fall Time

 

285

 

ns

Eon

Turn-on Switching Loss

 

6.2

 

mJ

Eoff

Turn-off Switching Loss

 

2.4

 

mJ

Ets

Total Switching Loss

 

8.6

 

mJ

td(on)

Turn-on Delay Time

VCC= 600V, IC= 40A,

RG= 20??, VGE=±15V,

Inductive Load, TJ= 125℃

 

105

 

ns

tr

Rise Time

 

75

 

ns

td(off)

Turn-off Delay Time

 

505

 

ns

tf

Fall Time

 

445

 

ns

Eon

Turn-on Switching Loss

 

8.1

 

mJ

Eoff

Turn-off Switching Loss

 

3.9

 

mJ

Ets

Total Switching Loss

 

12.0

 

mJ

Qg

Internal Gate Resistor

VCE= 600V, IC= 40A,

VGE= -15V ~ +15V

 

445

 

nC

RBSOA

Reverse Bias Safe Operating Area

IC= 80A ,VCC= 960V,

Vp =1200V, Rg = 15??,

VGE=+15V to 0V, TJ=150°C

Trapezoid

 

SCSOA

Short Circuit Safe Operating Area

VCC= 600V, VGE= 15V,

TJ= 150℃

10

 

 

μs

 

Diode-Inverter

Absolute Maximum Ratings(TC= 25℃unless otherwise specified)

Symbol

Description

Value

Units

VRRM

Repetitive Peak Reverse Voltage

1200

V

IF

DC Forward Current

40

A

IFRM

Repetitive Peak Forward Current

80

A

 

Characteristic Values

Symbol

Description

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

VF

Forward Voltage

IF＝40A,

VGE= 0V

TJ= 25℃

 

2.1

 

V

TJ= 150℃

  

2.1

 

Irr

Peak Reverse Recovery Current

IF＝40A, 

di/dt = 835A/μs,

Vrr= 600V, VGE=  -15V

TJ= 25℃

 

35

 

A

TJ= 125℃

 

45

 

Qrr

Recovered Charge

TJ= 25℃

 

3.9

 

μC

TJ= 125℃

 

6.0

 

Erec

Reverse Recovery Energy

TJ= 25℃

 

0.7

 

mJ

TJ= 125℃

 

1.3

 

 

Diode-Rectifier

Absolute Maximum Ratings(TC= 25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Description

Value

Units

VRRM

Repetitive Peak Reverse Voltage

TJ=25℃

1800

V

IFRMSM

Forward Current RMS Maximum Per Diode

TJ=80℃

50

A

IRMSM

Maximum RMS Current At Rectifier Output

TC= 80℃

60

A

IFSM

Surge Current @tp=10 ms

TJ=25℃

315

A

TJ=150℃

270

I2t

tp=10 ms

TJ=25℃

500

A2s

TJ=150℃

370

 

Characteristic Value

Symbol

Description

Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

VF

Forward Voltage

IF＝40A

(tested on top of terminals)

TJ= 25℃

 

1.10

1.30

V

TJ= 125℃

  

1.05 

 

 

IGBT-Brake-Chopper

Absolute Maximum Ratings(TC= 25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Description

Value

Units

VCES

Collector-Emitter Blocking Voltage

1200

V

VGES

Gate-Emitter Voltage

±20

V

IC

Continuous Collector Current

TC= 80℃

15

A

TC= 25℃

30

A

ICM(1)

Peak Collector Current Repetitive

TJ= 150℃

30

A

PD

Maximum Power Dissipation Per Leg            

TC= 25℃

TJmax=150℃

180

W

 

Characteristic Values

Symbol

Description

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

ICES

Collector-Emitter Leakage Current

VGE= 0V,

VCE = VCES

TJ= 25℃

 

 

1

mA

IGES

Gate-Emitter Leakage Current

VGE= VGES,

VCE= 0V

TJ= 25℃

 

 

200

nA

VGE(th)

Gate-Emitter Threshold Voltage

IC= 1 mA, VCE= VGE

4.5

5.2

6.5

V

VCE(sat)

Collector-Emitter Saturation

Voltage

IC= 15A ,

VGE = 15V

TJ= 25℃

 

1.90

2.10

V

TJ= 125℃

 

2.20

 

V

Cies

Input Capacitance

VCE= 25V, VGE= 0V ,

f＝1MHz

 

1.5

 

nF

Coes

Output Capacitance

 

0.13

 

nF



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