手机版|
二维码|-
- 产品
- 通用机械设备 行业专用设备 电气与能源设备 仪器仪表 网络安防/通信广电 电脑/办公设备 原辅料/初加工材料 建材与装饰材料 五金零部件/备品件 电子元器件 电工电料/线缆照明 综合工具 MRO消耗易耗品 文教办公用品 交通运输/汽摩/配件 生活消费
- 企业
- 通用机械设备 行业专用设备 电气与能源设备 仪器仪表 网络安防/通信广电 电脑/办公设备 原辅料/初加工材料 建材与装饰材料 五金零部件/备品件 电子元器件 电工电料/线缆照明 手动工具 MRO消耗易耗品 文教办公用品 交通运输/汽摩/配件 生活消费 商务服务
点击下图片即可查看大图
JFPC12N60C mosfet 晶体管用于充电器 开关电源 LDE电源
- ￥: 1.55元/
- 起订量：5
- 可售数量: 10000
- 支持批量采购
- 发布时间：2019-06-16 01:25
青岛佳恩半导体有限公司
- 店铺等级：
- 旺铺店长: jiaensemi
- 服务保障：暂未签署消保协议
- （什么是消费者保障协议）
- 认证类型：
- 身份认证： [诚信档案]
- 状态：[离线] [加为商友] [发送信件]
资料信息
- 实名认证
- 信用认证
- 商品合格
认证信息
- 产品详情
- 联系方式
- 产品评价
- 供货总量：10000
- 发货期限：自买家付款之日起 天内发货
- 所在地：山东 青岛市
品牌：青岛佳恩型号：JFPC12N60C类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：CER-DIP/陶瓷直插材质：N-FET硅N沟道工作电压：600V工作电流：12A最大允许功耗：7200W用途：开关电源外形尺寸：30mm加工定制：是 600V N-Channel MOSFET Features - 12A, 600V, RDS(on)typ. = 0.53Ω@VGS = 10 V - Low gate charge - High ruggedness - Fast switching - 100% avalanche tested - Improved dv/dt capability General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devicesare well suited for high efficiency switched mode powersupplies,active power factor correctionbased on halfbridge topology. Absolute Maximum RatingsTC= 25℃unless otherwise noted Symbol Parameter JFPC12N60C JFFC12N60C Units VDSS Drain – Source Voltage 600 V ID Drain Current Continuous ( TC= 25℃) 12 12* A Continuous ( TC= 100℃) 7.2 7.2* A IDM Drain Current - Pulsed ( Note 1 ) 48 A VGSS Gate – Source Voltage ±30 V EAS Single Pulsed Avalanche Energy ( Note 2 ) 512 mJ IAR Avalanche Current ( Note 1 ) 12 A EAR Repetitive Avalanche Energy ( Note 1 ) 22 mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt ( Note 3 ) 4.5 V/ns PD Power Dissipation ( TC= 25℃) 220 40 W -Derate above 25℃ 1.76 0.33 W/℃ TJ,TSTG Operating and Storage Temperature Range -55 to +150 ℃ TL Maximum lead temperature for soldering purposes 300 ℃ 1/8” frome case for 5 seconds *Drain current limited by maximum junction temperature. Thermal characteristics Symbol Parameter JFPC12N60C JFFC12N60C Units RθJC Thermal Resistance, Junction-to-Case 0.57 3.07 ℃/W RθJS Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ. 0.5 -- ℃/W RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient 62.5 62.5 ℃/W Electrical CharacteristicsTC= 25℃unless otherwise noted Symbol Parameter Test Conditions Min Typ Max Units Off Characteristics BVDSS Drain – Source Breakdown Voltage VGS= 0 V, ID= 250 uA 600 -- -- V ⊿BVDSS/⊿TJ Breakdown Voltage Temperature Coefficient ID= 250 uA, Referenced to 25℃ -- 0.6 -- V/℃ IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS= 600 V, VGS= 0 V -- -- 1 uA VDS= 480 V, Tc = 125℃ -- -- 10 uA IGSSF Gate-Body Leakage Current, Forward VGS= 30 V, VGS= 0 V -- -- 100 nA IGSSR Gate-Body Leakage Current, Reverse VGS= -30 V, VGS= 0 V -- -- -100 nA On Characteristics VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS= VGS, ID= 250 uA 2.0 -- 4.0 V RDS(on) Static Drain-Source on-Resistance VGS= 10V, ID= 6.0 A -- 0.53 0.75 Ω gFS Forward Transconductance VDS= 40 V, ID= 6.0 A ( Note 4 ) -- 11.3 -- S Dynamic Characteristics Ciss Input Capacitance VDS= 25 V, VGS= 0 V, f = 1.0 MHz -- 1980 -- pF Coss Output Capacitance -- 170 -- pF Crss Reverse Transfer Capacitance -- 10 -- pF Switching Characteristics td(on) Turn-On Delay Time VDS= 300 V, ID= 12.0 A , RG= 25Ω , VGS= 10 V (Note 4,5 ) -- 27 -- ns tr Turn-On Rise Time -- 25 -- ns td(off) Turn-Off Delay Time -- 62 -- ns tf Turn-Off Fall Time -- 39.5 -- ns Qg Total Gate Charge VDS= 480 V, ID= 12.0 A VGS= 10 V (Note 4,5 ) -- 40 -- nC Qgs Gate-Source Charge -- 9.8 -- nC Qgd Gate-Drain Charge -- 14.5 -- nC Drain – Source Diode Characteristics and Maximum Ratings IS Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current -- -- 12 A ISM Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current -- -- 48 A VSD Drain-Source Diode Forward Voltage VGS= 0 V, IS= 12.0 A -- -- 1.4 V trr Reverse Recovery Time VGS= 0 V, IS= 12.0 A -- 580 -- ns Qrr Reverse Recovery Charge dIF/dt = 100 A/us ( Note 4 ) -- 3.5 -- uC Notes: 产品详情数据具体请参考友情链接的独立网站里面的产品数据或者电话咨询！徐经理：185615369071. Repetitive Rating : Pulsed width limited by maximum junction temperature2. L = 6.3mH , IAS= 12A, VDD= 50V,RG= 25Ω, Starting TJ= 25℃3. ISD≤12.0A, di/dt≤100A/us, VDD≤BVDSS, Starting TJ= 25°C4. Pulsed Test : Pulsed width≤300us, Duty cycle ≤ 2%5. Essentially independent of operating temperature
青岛佳恩半导体有限公司是一家拥有核心芯片及方案技术的高科技公司，股票代码800328。公司主要从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售，并提供相关的系统应用解决方案。本部设立在山东省青岛市，同时在上海设有设计和销售中心，深圳设有办事处。
青岛佳恩半导体有限公司核心技术团队拥有多年海内外功率半导体芯片研发和制造经验并实现了中国IGBT芯片批量生产和销售的产业化。公司拥有国内一流、国际领先的IGBT，MOSFET和FRD等功率半导体芯片的设计和工艺集成技术，并建有国内领先的的IGBT产品性能测试、应用及可靠性试验室。公司团队拥有成熟的功率半导体芯片制造和产业化经验，以及丰富的销售和市场资源。
公司秉承“创新、优质、诚信”的经营理念，在国内核心的功率半导体IGBT芯片行业完全被国外垄断的局面下，努力创建并成为中国功率半导体行业尤其是IGBT芯片行业的领军企业。
- ·展出规模超50万平米“2024深圳高交会2024-05-23
- ·广州水泥电线杆厂2024-05-23
- ·生产尼龙检测筛 各种尺寸分样筛2024-05-23
- ·厂家生产冲孔板 304材质圆孔板2024-05-23
- ·厂家供应平纹编织不锈钢网 筛网2024-05-23
- ·大口径金属软管 耐磨金属软管 304不2024-05-23
- ·定制不规则不锈钢焊接网片生产厂家2024-05-23
- ·清洗外框加工生产厂家 网篮2024-05-23
- ·供应底部200目丝网不锈钢分样筛2024-05-23
- ·激光切割各种直径不锈钢烧结圆片2024-05-23
- ·PIM模块FP10R12W1T7、FP25R12W1T7福建/厦门市
- ·原装正品 一级代理 华晶场效应管 华广东/深圳市
- ·场效应管 CEU4201 CEU4301 CEU6355广东/深圳市
- ·代理场效应管MOS管(仙童FAIRCHILD IR广东/东莞市
- ·经销进口拆机IRF740场效应管质量保证广东/深圳市
- ·士兰微代理 SVF8N60 场效应管广东/佛山市
- ·4N60场效应管广东/深圳市
- ·N沟道场效应管FQP7N80C铁头原装正品广东/深圳市
- ·专业生产 30N40、G30N60A4D FAIRCHIL广东/汕头市
- ·2SK2648 场效应管 K2648广东/深圳市
- ·淄博智胜化工科技有限公司山东/淄博市
- ·广州斯蒂恩隔断墙体技术有限公司广东/广州市
- ·浙江埃默斯自动化科技有限公司浙江/杭州市
- ·山东艾希尔智能装备有限公司山东/淄博市
- ·诸城市精拓机械有限公司山东
- ·上海芸英工业皮带有限公司上海
- ·上海丰圆展览服务有限公司上海
- ·芜湖信达新材料科技有限公司安徽/芜湖市
- ·广州立升展览有限公司媒体合作部广东/广州市
- ·上海铸然铸然供应链管理有限公司上海
企业客服请求为您服务
-
徐旭
18561536907
- 友情链接
- 综合站
- 企业站
- 协会展会
